详细摘要： 实现高质量基板切断的电铸硬刀片电铸结合剂加工对象:ChipLEDboard,Varioustypesofsemiconductorpackages,etcZHD...

详细摘要： 借由采用新开发之高刚性V1结合剂，实现高负荷条件下之穏定加工电铸结合剂加工对象:Siliconwafer,Compoundsemiconductorwafers...

详细摘要： 通过高精度的集中度调整技术，提供稳定的加工品质电铸结合剂加工对象:Siliconwafer,Compoundsemiconductorwafers(GaAs,G...

详细摘要： 实现细微的非热曲线切割对应其他尺寸加工物利用高压水和研磨材料进行加工物的切断以迪思科独自开发，将水与研磨材料预先混和再喷出的技术，以及运用在切割机等精密加工设备...

详细摘要： 进一步实现超薄晶圆的高速处理Φ300mmDBGSDBGWaferThinning实现高良率的薄型化技术DFM2800是为了处理300mm超薄晶圆，特意与...

详细摘要： 兼顾小芯片元件在SD分割时的高成品率和高生产效率Φ200mmSDTT切实地分割小芯片晶圆由于可对隐形切割※（以下简称为SD）后的晶圆进行高成品率，高生产...

详细摘要： 针对小芯片晶圆分割的芯片分割设备Φ300mmSDBGSDTT实现隐形切割后稳定的小芯片分割实现对隐形切割后在内部产生变质层的芯片的稳定分割此工艺特别有效...

详细摘要： 高品质DAF分割的芯片分割设备Φ300mmSDBGSDTT提高粘贴于DAF上的薄晶圆分割品质在有DAF(DieAttachFilm)的薄晶圆分割工艺中，...

详细摘要： 适用于300mm以下的全自动平坦化加工设备Φ300mm2axes,2chucktablesPlanarization通过金刚石刨刀实现超精密平坦化技术将...

详细摘要： 适用于8英寸以下的全自动平坦化加工设备Φ200mm1axis,1chucktablePlanarization通过金刚石刨刀实现超精密平坦化技术将金属等...

详细摘要： 适用于300mm以下的半自动平坦化加工设备Φ300mm1axis,1chucktablePlanarization通过金刚石刨刀实现超精密平坦化技术将金...

详细摘要： 适用于8英寸以下的半自动平坦化加工设备Φ200mm1axis,1chucktablePlanarization通过金刚石刨刀实现超精密平坦化技术将金属等...

详细摘要： 实现不使用化学制剂应力释放的300mm干式抛光机Φ300mm1axis,1chucktableWaferThinningStressReleaf提高薄型...

详细摘要： 追求高效率的300mm研削拋光机Φ300mm3axes,4chucktablesDBGSDBGWaferThinningStressReleaf提高加工...

详细摘要： 实现不使用化学制剂应力释放的8英寸干式抛光机Φ200mm1axis,1chucktableWaferThinningStressReleaf提高薄型晶圆...

详细摘要： 适用于高精度研削量较少的研削加工Φ200mm1axis,2chucktables稳定的高精度晶圆研削加工随着电子元器件高集成化的发展，追求高平坦度的晶圆...

详细摘要： 特别针对于蓝宝石和SiC等硬脆材料加工的CMP抛光机Φ200mm1axis,2chucktablesWaferThinningStressReleaf全...

详细摘要： 适合硬脆材料薄型化研削的研削机Φ150mm4axes,5chucktables对应硬脆材料的研削加工适合蓝宝石和SiC等硬脆材料研削加工的研削机

详细摘要： 对应加工需求的半自动研削机Φ200mm1axis,1chucktable简单紧凑的单轴研削机单主轴，单工作台，结构简单紧凑的研削机

详细摘要： 追求多样化加工材料的高精度研削Φ200mm2axes,3chucktablesDBG高精度研削由于部分功率元器件和传感器件在研削后所产生的厚度偏差（晶圆...