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详细介绍
针对小芯片晶圆分割的芯片分割设备
- Φ300 mm
- SDBG
- SDTT
实现隐形切割后稳定的小芯片分割
实现对隐形切割后在内部产生变质层的芯片的稳定分割此工艺特别有效于粘贴DAF的薄晶圆隐形切割。
保持扩宽且均匀的切痕
通过为小芯片的分割而开发的热扩工作盘以及FIR(Far Infrared/远红外线）加热器，使小芯片也可保持足够宽度的切痕。
标准搭配4个FIR加热器，提高生产效率
通过搭载4个FIR加热器，提高胶膜的收缩性能，实现小芯片分割生产效率的提高
通过冷扩片提高DAF分割品质
通过采用冷扩片方式，不仅对小芯片分割，而且对DAF分割，都能实施稳定的分割。
通过胶膜框架搬送，顺畅地进入下一工序
通过热收缩可消除扩展后在切割胶带外围所产生的松弛。不必重新贴换胶膜，可直接将胶膜框架送往贴片工序(die bonding process)。
适用的应用例
- 经刀片切割后的DAF分割
- DBG后的DAF分割
- 隐形切割后的芯片分割
工作流程系统
- 取物夹将加工物从晶圆盒取出，送往框架定位平台 →
- 在框架定位平台定位后，送往中间平台 →
- 移至冷扩展台上，进行冷扩展 →
- 移至热扩展台上，再次进行扩展· 热收缩 →
- 移至离心清洗台上，进行清洗 干燥 →
- 移至UV照射台（特别附属品）上，进行UV照射 →
- 取物夹将加工物收回晶圆盒内
技术规格
| Specification | Unit | ||
|---|---|---|---|
| Max. workpiece size | mm | Φ300 | |
| Cooler stage | Temperature setting range | ℃ | 0 or -5 (fixed) (setting when shipped from the Plant) |
| Max. upthrust amount | mm | 30 | |
| Upthrust amount setting range | mm | 0～30 (step 0.001) | |
| Max. upthrust speed | mm/s | 400 | |
| Upthrust speed setting range | mm/s | 0.001 ～ 400 (step 0.001) | |
| Heat shrink stage | Temperature setting range | ℃ | 400 ～ 600 |
| Max. upthrust amount | mm | 20 | |
| Upthrust amount setting range | mm | 0 ～ 20 (step 0.001) | |
| Max. up thrust speed | mm/s | 50 | |
| Upthrust speed setting range | mm/s | 0.001 ～ 50 (step 0.001) | |
| Machine dimensions (W×D×H) | mm | 1,200 × 1,800 × 1,955 | |
| Machine weight | kg | Approx.1,000 | |
※为了改善，机器的外观，特征，规格等本公司可能在未预先通知用户的情况下实施变更。
※使用时，请先确认标准规格书。
Product Lineup
| Machine type |
| Machine dimentions（W × D × H） |
| Machine weight（kg） |
| DDS2010 | DDS2300 |
| 半自动 | 全自动 |
| 718 × 897 × 1608 | 1,200 × 1,550 × 1,800 |
| 450 | 900 |
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