苏州恒迈瑞作为AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化镓外延片生产厂商，为客户定制生产4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化镓外延片，增强型/耗尽型硅基GaN-On-Si氮化镓功率外延片，以及蓝宝石基氮化镓外延片，可应用于制作各种中低高功率器件，射频微波器件。同时可供应D级4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶锭，8英寸碳化硅单晶体及碳化硅衬底晶片，可为客户提供加工测试Dummy级SiC晶棒设备(多线切割机/激光切割机，晶锭研磨机，晶体晶棒抛光机）所用的4H-N(导电型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶锭晶棒，4H-SI(半绝缘型)Raw-cut切割片及碳化硅晶锭晶体。N型碳化硅衬底晶片和SI半绝缘型碳化硅衬底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅衬底晶片可广泛应用于N型掺杂N（P型掺杂Al）碳化硅同质外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化镓外延片等
D级碳化硅晶锭厂家 测试激光冷剥离切割设备
碳化硅晶锭生产商恒迈瑞为客户提供高品质的测试级碳化硅晶棒，可用于激光冷剥离设备，多线切割设备，激光冷剥离设备测试。
光剥离技术及激光冷切割术主要应用于激光剥离技术是将激光垂直照射碳化硅晶锭
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一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）为主，是CPU处理器等集成电路主要运用的材料；第二代半导体包括砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等，目前手机所使用的关键通信芯片都采用这类材料制作。第三代半导体材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中有优势。其中，碳化硅、氮化镓的研究和发展更为成熟。
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