苏州恒迈瑞作为AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化镓外延片生产厂商，为客户定制生产4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化镓外延片，增强型/耗尽型硅基GaN-On-Si氮化镓功率外延片，以及蓝宝石基氮化镓外延片，可应用于制作各种中低高功率器件，射频微波器件。同时可供应D级4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶锭，8英寸碳化硅单晶体及碳化硅衬底晶片，可为客户提供加工测试Dummy级SiC晶棒设备(多线切割机/激光切割机，晶锭研磨机，晶体晶棒抛光机）所用的4H-N(导电型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶锭晶棒，4H-SI(半绝缘型)Raw-cut切割片及碳化硅晶锭晶体。N型碳化硅衬底晶片和SI半绝缘型碳化硅衬底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅衬底晶片可广泛应用于N型掺杂N（P型掺杂Al）碳化硅同质外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化镓外延片等
4H-N碳化硅晶锭生产商激光冷切割冷剥离
恒迈瑞专注于生产高质量4H-N碳化硅晶锭，并为激光冷切割设备激光冷剥离设备生产商供应6英寸导电型碳化硅晶锭。
激光冷切割技术先用激光照射晶锭形成剥落层，使碳化硅材料内部体积膨胀，从而产生拉伸应力形成一层非常窄的微裂纹，然后通过聚合物冷却步骤将微裂纹处理为一个主裂纹，最终将晶圆与剩余的晶锭分开。
该技术具有以下优势：1）每片晶圆总切口损失小于100μm；2）SiC晶圆的良率提高90%；3）该技术大幅减少了SiC晶圆生产过程中的原材料损耗，可以提供3倍的材料，最终SiC器件产能提高近2倍，成本降低20-30%。以单个20mm的SiC晶锭为例，采用多线切割技术可生产30片350μｍ的晶圆，而采用冷切技术能将单片晶圆厚度减少到200μｍ，晶圆产量提高到超80片。
产品名称参考价
*您想获取产品的资料：
个人信息：
