苏州恒迈瑞作为AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化镓外延片生产厂商，为客户定制生产4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化镓外延片，增强型/耗尽型硅基GaN-On-Si氮化镓功率外延片，以及蓝宝石基氮化镓外延片，可应用于制作各种中低高功率器件，射频微波器件。同时可供应D级4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶锭，8英寸碳化硅单晶体及碳化硅衬底晶片，可为客户提供加工测试Dummy级SiC晶棒设备(多线切割机/激光切割机，晶锭研磨机，晶体晶棒抛光机）所用的4H-N(导电型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶锭晶棒，4H-SI(半绝缘型)Raw-cut切割片及碳化硅晶锭晶体。N型碳化硅衬底晶片和SI半绝缘型碳化硅衬底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅衬底晶片可广泛应用于N型掺杂N（P型掺杂Al）碳化硅同质外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化镓外延片等
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6英寸8英寸SiC碳化硅衬底供应商恒迈瑞公司专注于生产供应导电N型碳化硅衬底晶片，半绝缘SI型级P型碳化硅衬底晶片，产品涵盖测试D级，研究R级和产品P级，不同客户不同应用可选择对应的参数等级。除6-8英寸碳化硅衬底外，我司亦可供应2英寸4英寸停产等级的碳化硅衬底片。欢迎有需求客户电话询价。
SiC 生产过程分为 SiC 单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤，对应的是产业链衬底、外延、器件与模组四大环节。
制造碳化硅衬底的有物理气象升华法、化学气相沉积法以及顶部籽晶溶液生长法三种。物理气相升华法是在高温真空环境下将粉料升华，通过温场的控制在籽晶表面生 长出碳化硅晶体，是企业最尝使用的一种方法。以碳化硅晶片为衬底，使用化学气相沉积法，在晶片上淀积一层单晶形成外延片。
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