恒迈瑞公司可生产供应测试D级8英寸碳化硅衬底晶片，8英寸碳化硅是目前碳化硅市场上尺寸zui 大的衬底，主流仍旧为6英寸SiC衬底。8英寸碳化硅晶片直径200±0.5mm，厚度500±25um，电阻率0.01-0.03ohm.cm,可分为测试D级与产品P级，同样有导电N型8英寸碳化硅与半绝缘SI型8英寸碳化硅衬底，欢迎有采购需求的客户与我们联系获取规格与报价。
产品类型：碳化硅衬底
晶型：4H
掺杂：氮 Nitrogen
厚度：500um±25um
尺寸：8英寸
晶向：Off axis:4.0°toward<1120>±0.5°
碳化硅衬底的优势：
* 碳化硅衬底与氮化镓（GaN）外延层的晶格常数匹配，化学特性相容；
* 碳化硅材料热导率优秀（比蓝宝石高10倍以上）且与GaN外延层热膨胀系数相近；
* 碳化硅是导电的半导体，可以制作垂直结构器件，其两个电极分布在器件的表面和底部，能解决蓝宝石衬底必须的横向结构封装带来的各种缺点；
* 碳化硅衬底不需要电流扩散层，因此光不会被电流扩散层的材料吸收，这样又提高了出光效率。
