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苏州恒迈瑞作为AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化镓外延片生产厂商，为客户定制生产4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化镓外延片，增强型/耗尽型硅基GaN-On-Si氮化镓功率外延片，以及蓝宝石基氮化镓外延片，可应用于制作各种中低高功率器件，射频微波器件。同时可供应D级4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶锭，8英寸碳化硅单晶体及碳化硅衬底晶片，可为客户提供加工测试Dummy级SiC晶棒设备(多线切割机/激光切割机，晶锭研磨机，晶体晶棒抛光机）所用的4H-N(导电型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶锭晶棒，4H-SI(半绝缘型)Raw-cut切割片及碳化硅晶锭晶体。N型碳化硅衬底晶片和SI半绝缘型碳化硅衬底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅衬底晶片可广泛应用于N型掺杂N（P型掺杂Al）碳化硅同质外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化镓外延片等
| 产地 | 国产 |
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碳化硅(SiC)材料具有尺寸稳定性好、弹性模量大、比刚度大、导热性能好和耐腐蚀等性能，在现代工业领域应用广泛。恒迈瑞公司供应2英寸4英寸6英寸及8英寸未抛光碳化硅切割片，导电N型，各种厚度可供客户选择，未抛光SiC切割片可被用于研磨及抛光测试验证。
SiC材料的表面加工质量对制件的可靠性和使用寿命至关重要，如：在半导体领域，SiC晶片的轻薄化和表面超光滑的特性不仅减小了体积，还降低了其内阻，改善了芯片散热性能。在单晶SiC基片的外延工艺应用中要求表面粗糙度Ra<0.3 nm ，并且表面无缺陷、无损伤。光学元件的表面质量是影响光学系统成像分辨率的重要因素，抛光就是为了提高表面质量，尽量降低表面粗糙度和亚表面损伤层深度，而散射越少，成像分辨率越高。光学镜面要求其光学元件表面超光滑，表面粗糙度均方根(Root Mean Square ，RMS)<1nm。机械密封元件要求密封端面的表面粗糙度Ra<0.4 μm，平面度一般小于0.9 μm。
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