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耗尽型AlGaN/GaN硅基氮化镓外延晶片厂商

参考价面议
具体成交价以合同协议为准
  • 公司名称苏州恒迈瑞材料科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       号4inch
  • 所  在  地苏州市
  • 厂商性质生产厂家
  • 更新时间 2024-07-15
  • 访问次数319

苏州恒迈瑞作为AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化镓外延片生产厂商,为客户定制生产4英寸,6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化镓外延片,增强型/耗尽型硅基GaN-On-Si氮化镓功率外延片,以及蓝宝石基氮化镓外延片,可应用于制作各种中低高功率器件,射频微波器件。同时可供应D4英寸SiC碳化硅晶棒,6英寸碳化硅SiC晶锭,8英寸碳化硅单晶体及碳化硅衬底晶片可为客户提供加工测试DummySiC晶棒设备(多线切割机/激光切割机,晶锭研磨机,晶体晶棒抛光机)所用的4H-N(导电型)碳化硅As-cut切割片,碳化硅晶锭晶棒,4H-SI(半绝缘型)Raw-cut切割片及碳化硅晶锭晶体。N型碳化硅衬底晶片和SI半绝缘型碳化硅衬底晶片可提供4英寸,6英寸及8英寸。碳化硅衬底晶片可广泛应用于N型掺杂NP型掺杂Al)碳化硅同质外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化镓外延片等

 

硅基氮化镓外延片,碳化硅基GaN外延片,碳化硅晶棒,碳化硅SiC切割片,碳化硅衬底晶片,碳化硅同质外延片,氮化镓衬底片
产地 国产
恒迈瑞公司供应4英寸6英寸及8英寸耗尽型硅基氮化镓外延片D-mode,结构:
Si衬底/AlN/Buffer/GaN Channel/AlGaN Barrier/Cap layer.
耗尽型AlGaN/GaN硅基氮化镓外延晶片厂商 产品信息

恒迈瑞公司供应4英寸6英寸及8英寸耗尽型硅基氮化镓外延片D-mode,结构:

Si衬底/AlN/Buffer/GaN Channel/AlGaN Barrier/Cap layer.其中0-5nm保护层cap layer可选GaN 或SiN.除此外,也提供e-mode增强型pGaN/GaN-on-Si硅基GaN外延片供不同客户不同需求。欢迎有氮化镓外延片需求客户与我们联系获取报价及技参。

耗尽型AlGaN/GaN硅基氮化镓外延晶片厂商


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