恒迈瑞公司供应4英寸6英寸及8英寸耗尽型硅基氮化镓外延片D-mode,结构:
Si衬底/AlN/Buffer/GaN Channel/AlGaN Barrier/Cap layer.其中0-5nm保护层cap layer可选GaN 或SiN.除此外,也提供e-mode增强型pGaN/GaN-on-Si硅基GaN外延片供不同客户不同需求。欢迎有氮化镓外延片需求客户与我们联系获取报价及技参。
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苏州恒迈瑞作为AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化镓外延片生产厂商,为客户定制生产4英寸,6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化镓外延片,增强型/耗尽型硅基GaN-On-Si氮化镓功率外延片,以及蓝宝石基氮化镓外延片,可应用于制作各种中低高功率器件,射频微波器件。同时可供应D级4英寸SiC碳化硅晶棒,6英寸碳化硅SiC晶锭,8英寸碳化硅单晶体及碳化硅衬底晶片,可为客户提供加工测试Dummy级SiC晶棒设备(多线切割机/激光切割机,晶锭研磨机,晶体晶棒抛光机)所用的4H-N(导电型)碳化硅As-cut切割片,碳化硅晶锭晶棒,4H-SI(半绝缘型)Raw-cut切割片及碳化硅晶锭晶体。N型碳化硅衬底晶片和SI半绝缘型碳化硅衬底晶片可提供4英寸,6英寸及8英寸。碳化硅衬底晶片可广泛应用于N型掺杂N(P型掺杂Al)碳化硅同质外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化镓外延片等
恒迈瑞公司供应4英寸6英寸及8英寸耗尽型硅基氮化镓外延片D-mode,结构:
Si衬底/AlN/Buffer/GaN Channel/AlGaN Barrier/Cap layer.其中0-5nm保护层cap layer可选GaN 或SiN.除此外,也提供e-mode增强型pGaN/GaN-on-Si硅基GaN外延片供不同客户不同需求。欢迎有氮化镓外延片需求客户与我们联系获取报价及技参。
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