恒迈瑞公司注于碳化硅晶锭研发生产，目前可供应4~8英寸4H-N导电型碳化硅晶锭及4~6英寸4H-SI半绝缘碳化硅晶锭，作为SiC晶锭供应商，我司产品等分为测试D级和产品P级以满足不同需求的客户。我们始终以优惠的价格，优质的服务，提供高品质的碳化硅晶锭及切割片等产品，欢迎国内外客户来电询价，了解晶锭的各项详细参数。
半绝缘型碳化硅上主要是长氮化镓外延层制造用于射频和光电器件，导电型碳化硅衬底上长同质碳化硅外延层用来做功率半导体，
对比6英寸SiC晶圆，8英寸SiC晶圆可用面积几乎增加一倍，芯片产出可增加80-90％，SiC晶圆升级到8英寸将会给汽车和工业客户带来重大收益。
碳化硅衬底的优势：
* 碳化硅衬底与氮化镓（GaN）外延层的晶格常数匹配，化学特性相容；
* 碳化硅材料热导率优秀（比蓝宝石高10倍以上）且与GaN外延层热膨胀系数相近；
* 碳化硅是导电的半导体，可以制作垂直结构器件，其两个电极分布在器件的表面和底部，能解决蓝宝石衬底必须的横向结构封装带来的各种缺点；
* 碳化硅衬底不需要电流扩散层，因此光不会被电流扩散层的材料吸收，这样又提高了出光效率。
