苏州恒迈瑞作为AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化镓外延片生产厂商，为客户定制生产4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化镓外延片，增强型/耗尽型硅基GaN-On-Si氮化镓功率外延片，以及蓝宝石基氮化镓外延片，可应用于制作各种中低高功率器件，射频微波器件。同时可供应D级4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶锭，8英寸碳化硅单晶体及碳化硅衬底晶片，可为客户提供加工测试Dummy级SiC晶棒设备(多线切割机/激光切割机，晶锭研磨机，晶体晶棒抛光机）所用的4H-N(导电型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶锭晶棒，4H-SI(半绝缘型)Raw-cut切割片及碳化硅晶锭晶体。N型碳化硅衬底晶片和SI半绝缘型碳化硅衬底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅衬底晶片可广泛应用于N型掺杂N（P型掺杂Al）碳化硅同质外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化镓外延片等
SiC碳化硅原始晶锭晶棒生产厂家，用于测试碳化硅C碳面球面平整度
苏州恒迈瑞公司为国内外客户生长供应碳化硅原始晶锭，也可以称之为碳化硅坯料，可用于
用于测试碳化硅C面弧度端面平整度及缺陷等。4英寸至6英寸导电型碳化硅原始晶锭或半绝缘型碳化硅毛坯料
碳化硅主要采用物理气相输运法（PVT，也称为改良的Lely法或籽晶升华法），高温化学气相沉积法（HTCVD）作为补充。核心步骤大致分为：
碳化硅固体原料；
加热后碳化硅固体变成气体；
气体移动到籽晶表面；
气体在籽晶表面生长为晶体。
SiC 材料拥有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子迁移率以及抗辐射等特性，SiC 基的 SBD 以及 MOSFET 更适合在高频、高温、高压、高功率以及耐辐射的环境中工作。在功率等级相同的条件下，采用 SiC 器件可满足功率密度更高、设计更紧凑的需求。
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