半导体材料的研发与应用是各领域关注的焦点。其中,硅基氮化镓(Gallium Nitride)外延片作为一种新型高性能半导体材料,其应用场景日益拓展,引起了业界的关注。苏州恒迈瑞公司为客户生产定制4英寸至8英寸GaN-on-Si硅基氮化镓外延片。硅基氮化镓外延片具有诸多优势。以AlGaN/GaN-on-Si为例,这种氮化镓外延片采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在硅衬底上生长高质量、高稳定性的氮化镓薄膜。该工艺不仅降低了生产成本,还实现了大规模生产线的应用,为实现高频、高效、高温等苛刻条件下的电子设备提供了可能。随着5G通信、新能源汽车、人工智能等领域对高性能功率器件的需求不断增长,硅基氮化镓外延片作为关键性基础材料的地位逐渐凸显。硅基氮化镓外延片制造行业在未来有着发展潜力和空间。相关企业和研究机构应加强技术创新、提高产品质量,并积极应对市场变化,共同推动整个产业链的协同发展
4英寸硅基GaN氮化镓外延片厂家价格结构
参考价 | 面议 |
- 公司名称苏州恒迈瑞材料科技有限公司
- 品 牌其他品牌
- 型 号4inch
- 所 在 地苏州市
- 厂商性质生产厂家
- 更新时间 2024-04-02
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苏州恒迈瑞作为AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化镓外延片生产厂商,为客户定制生产4英寸,6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化镓外延片,增强型/耗尽型硅基GaN-On-Si氮化镓功率外延片,以及蓝宝石基氮化镓外延片,可应用于制作各种中低高功率器件,射频微波器件。同时可供应D级4英寸SiC碳化硅晶棒,6英寸碳化硅SiC晶锭,8英寸碳化硅单晶体及碳化硅衬底晶片,可为客户提供加工测试Dummy级SiC晶棒设备(多线切割机/激光切割机,晶锭研磨机,晶体晶棒抛光机)所用的4H-N(导电型)碳化硅As-cut切割片,碳化硅晶锭晶棒,4H-SI(半绝缘型)Raw-cut切割片及碳化硅晶锭晶体。N型碳化硅衬底晶片和SI半绝缘型碳化硅衬底晶片可提供4英寸,6英寸及8英寸。碳化硅衬底晶片可广泛应用于N型掺杂N(P型掺杂Al)碳化硅同质外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化镓外延片等
产地 | 国产 |
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