苏州恒迈瑞作为AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化镓外延片生产厂商，为客户定制生产4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化镓外延片，增强型/耗尽型硅基GaN-On-Si氮化镓功率外延片，以及蓝宝石基氮化镓外延片，可应用于制作各种中低高功率器件，射频微波器件。同时可供应D级4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶锭，8英寸碳化硅单晶体及碳化硅衬底晶片，可为客户提供加工测试Dummy级SiC晶棒设备(多线切割机/激光切割机，晶锭研磨机，晶体晶棒抛光机）所用的4H-N(导电型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶锭晶棒，4H-SI(半绝缘型)Raw-cut切割片及碳化硅晶锭晶体。N型碳化硅衬底晶片和SI半绝缘型碳化硅衬底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅衬底晶片可广泛应用于N型掺杂N（P型掺杂Al）碳化硅同质外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化镓外延片等
| 产地 | 国产 |
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碳化硅毛坯籽晶带球面晶锭晶棒厂家
作为碳化硅坯料生产厂商，恒迈瑞为客户提供4英寸6英寸碳化硅毛坯籽晶带球面晶锭晶棒，用于测试弧度球面的面形和缺陷，同时测试碳化硅Si面缺陷。导电型碳化硅坯料厚度约10-20mm，未经过头尾切片，研磨抛光等工序。
高质量碳化硅晶锭切片成翘曲小、厚度均匀，否则会给后续的研磨和抛光带来很大的困难。一般采用金刚石线锯将碳化硅切成晶圆，总厚度变化（TTV）小于30 μm，翘曲度（Warp）小于20 μm。
研磨是规模化生产中加工碳化硅衬底的第二步。碳化硅断裂韧性低，研磨难度大，对开裂非常敏感。研磨过程需要涉及到转速、压力、砂粒大小、磨料密度等诸多参数。因此，研磨过程需要严格选择操作参数以大限度地提高磨削率，同时控制表面完整性。
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