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陕西博微电通科技有限责任公司
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雪崩能量测试台，是针对半导体器件 IGBT、二极管、MOS 等设计的测试设备 仪器，对于那些在应用过程中功率器件两端所产生较大的尖峰电压，就要考虑 器件的雪崩能量耐受，电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因 此对于反激的应用，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率 器件都会电压降额， 从而留有足够的电压余量。
BW-UIS-3500
雪崩耐量测试系统
雪崩能量测试台，是针对半导体器件 IGBT、二极管、MOS 等设计的测试设备 仪器，对于那些在应用过程中功率器件两端所产生较大的尖峰电压，就要考虑 器件的雪崩能量耐受，电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因 此对于反激的应用，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率 器件都会电压降额， 从而留有足够的电压余量。但是，一些电源在输出短路 时，初级中会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能， 因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些电机的 负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极大的冲击电流，因此也要考虑 器件的雪崩能量。 该设备仪器是专门测试 IGBT、MOS 及二极管的雪崩耐量，能够准确快速测试 出它们的雪崩耐量，该设备主要包组成单元有：可控直流电源、可选电感、电 流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、IGBT 功率型器件、IGBT 功率型器件 保护电路、计算机程控系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试标 准适配器等 。
技术指标：
> 浪涌电流（IFSM/ITSM）调节范围：0.30～3.60kA
> 分辨率0.01kA，精度±3%±0.01kA
> 电流波形：正弦半波，底宽10ms
> 测试频率：单次
> 反向电压（VRRM）调节范围：0.20～2.00kV，分辨率0.01kV，精度±5％
> 反向电压测试频率：50Hz；
> 反漏电流（IRRM）测试范围；1.0～100.0mA，分辨率0.1mA，精度±5％±0.1mA
工作方式：
> 由触摸液晶屏设定浪涌电流大小、反向电压值及反向漏电流保护值
> 按测试按键后设备自动完成测试
外形尺寸：
> 600×800×1900×1（宽×深×高×并柜数，单位：mm）
系统说明：
> 上述设备配置输出及测试线,但不含测试用“夹具"。该“夹具"用于满足元件按照标准进行测试时所要求的温度和压力测试条件。
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