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半导体衬底缺陷检测设备

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更新时间:2022-06-28 10:07:43浏览次数:691次

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面向半导体产业链上游原材料生产企业、中游晶圆生产企业,采用独立开发的光学明暗场检测系统,对半导体原片、外延片、无图形晶圆的外观缺陷进行检测。 检测精度 7 μm ......
产品优势
  • 01
    适用多种晶圆

    适用于4—8英寸原片、衬底、外延片及无图形晶圆 


  • 02
    可检测多种缺陷

    检测颗粒、凹坑、凸起、划伤、污点、裂纹等缺陷


  • 03
    分辨精度高

    系统分辨率:1-10μm 


  • 04
    检测速度快

    无图形晶圆:缺陷数量在200个以内的情况下,180秒/片


技术参数
项目主要技术参数
常规参数Wafer尺寸标配4" , 6"(可扩展4"-8")
料盒数量双层,  14 pcs
上下料方式机械手,  Mapping扫描
运动平台Y行程 350mm,重复精度 10μm
Z行程 8mm,重复精度 5μm
产能4" , 140WPH     6" ,  120WPH
检测性能检测精度7 μm
相机高分辨率工业相机
镜头高清工业镜头
光源光源
使用环境供电规格AC220V,   50Hz
气源要求0 .5-0 .7Mpa压缩空气,  无明显水汽和油脂
设备重量温度15-40℃,  湿度要求30%-70%,  无凝霜
整机尺寸1800mm*1300mm*2250mm


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