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面向半导体产业链上游原材料生产企业、中游晶圆生产企业，采用独立开发的光学明暗场检测系统，对半导体原片、外延片、无图形晶圆的外观缺陷进行检测。 检测精度 7 μm...
面向半导体产业链中游晶圆生产企业、下游封装测试企业，采用独立开发的多通道明暗场并行检测系统，对半导体有图形晶圆、晶粒的外观缺陷进行检测。 检测精度 3 μm.....
面向半导体产业链上游的原材料生产企业，采用独立开发的光谱共焦测量系统，对半导体原片、外延片的尺寸和平面度进行检测。 重复精度 ±0 . 1 μm....
针对泛半导体和3C行业，应用于Si、GaN、SiC、玻璃以及表面镀层材料的各类型标识，适用于8英寸及以上晶圆。 设备型号 HD S2113......
面向半导体行业，采用晶圆机械手配合外同轴视觉定位等技术，实现2-6英寸晶圆全自动激光标刻。 平均功率 5W/20W ......
本设备针对8英寸及以上芯片封测厂，应用于半导体行业硅基晶圆激光改质切割。 重复定位精度 ±1μm......
本设备针对8英寸及以上芯片封测厂，应用于半导体行业40nm及以下的low-k晶圆和硅基GaN等晶圆表面划线或开槽加工。 重复定位精度 ±1μm ....
采用紫外皮秒激光器，针对硅和化合物半导体晶圆进行精密半切或全切。 切割线宽 ≤20±5μm（含HAZ） ......
采用纳秒激光器，针对GPP晶圆等进行精密划切。 切割头 自研 重......
本设备主要为针对半导体、3C行业开发的切割设备。适用于硅、陶瓷、玻璃、SiC等材料的切割。具有切割速 度快、定位精度高的优势。设备配有高精度CCD视觉系统，能够...
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