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氮化镓异质外延片生产厂家GaN-on-SiC

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公司名称苏州恒迈瑞材料科技有限公司
品牌其他品牌
型号4inch
所在地苏州市
厂商性质生产厂家
更新时间 2024-03-20
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产品标签:

碳化硅基氮化镓外延 RF HEMT氮化镓外延片 GaN外延片生产商

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苏州恒迈瑞作为AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化镓外延片生产厂商，为客户定制生产4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化镓外延片，增强型/耗尽型硅基GaN-On-Si氮化镓功率外延片，以及蓝宝石基氮化镓外延片，可应用于制作各种中低高功率器件，射频微波器件。同时可供应D级4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶锭，8英寸碳化硅单晶体及碳化硅衬底晶片，可为客户提供加工测试Dummy级SiC晶棒设备(多线切割机/激光切割机，晶锭研磨机，晶体晶棒抛光机）所用的4H-N(导电型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶锭晶棒，4H-SI(半绝缘型)Raw-cut切割片及碳化硅晶锭晶体。N型碳化硅衬底晶片和SI半绝缘型碳化硅衬底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅衬底晶片可广泛应用于N型掺杂N（P型掺杂Al）碳化硅同质外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化镓外延片等

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硅基氮化镓外延片，碳化硅基GaN外延片，碳化硅晶棒，碳化硅SiC切割片，碳化硅衬底晶片，碳化硅同质外延片，氮化镓衬底片

产品简介在线询价

产地	国产

苏州恒迈瑞供应RF HEMT应用碳化硅射频高电子迁移管GaN氮化镓外延片，尺寸涵盖4英寸及6英寸，SiC碳化硅与GaN氮化镓由于晶格失配较小，导电、热导率高，是主流的GaN外延生长衬底之一。

氮化镓异质外延片生产厂家GaN-on-SiC 产品信息

氮化镓异质外延片生产厂家GaN-on-SiC

苏州恒迈瑞供应RF HEMT应用碳化硅射频高电子迁移管GaN氮化镓外延片，尺寸涵盖4英寸及6英寸，SiC碳化硅与GaN氮化镓由于晶格失配较小，导电、热导率高，是主流的GaN外延生长衬底之一。其中，导电型SiC衬底主要用于外延GaN基LED等光电子器件、SiC基电力电子器件，半绝缘型SiC衬底主要用于外延制造GaN高功率射频器件，比如5G基站中的PA、雷达等。

氮化镓是一种极稳定的无机化合物，也是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，主要是由人工合成的。GaN具有高的电离度，禁带宽度达到3.4eV，其相比第二代半导体化合物拥有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率和电子饱和速率及更优的抗辐照能力,可以用在高功率、高速的光电元件中,是生产微电子器件、光电子器件的新型材料。