NTMFS4955NT1G/STP21N65M5 单项晶体管：
规格：
NTMFS4955NT1G：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.7A（Ta），48A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 6 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 10.8nC @ 4.5V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 1264pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 920mW（Ta），23.2W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳 8-PowerTDFN，5 引线
STP21N65M5：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 190 毫欧 @ 8.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 50nC @ 10V
Vgs（大值） ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 1950pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 125W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
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