供应 N沟道单项晶体管 STFH24N60M2：
一、规格： FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 190 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 29nC @ 10V
Vgs（大值） ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 1060pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 35W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
二、描述：
该器件是采用MDmesh™M2技术开发的N沟道功率MOSFET。 由于其条带布局和改进的垂直结构，该器件具有低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求苛刻的高效转换器.TO-220FP宽爬电封装为功率MOSFET提供更高的表面绝缘，以防止 由于电弧放电导致的故障，可能在污染环境中发生
三、特征：
极低的栅极电荷
出色的输出电容（COSS）曲线
100％通过雪崩测试
齐纳保护
引脚之间的爬电距离为4.25 mm
四、应用：
切换应用
LLC转换器，谐振转换器
星际金华供应 N沟道单项晶体管 STFH24N60M2 原装*现货，更多详情，欢迎询问！
