星际金华原装供应 沟槽型场截止单项晶体管 STGW80H65DFB 原装现货，量大价优！
规格：
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（大值） 650V
电流 - 集电极（Ic）（大值） 120A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 240A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2V @ 15V，80A
功率 - 大值 469W
开关能量 2.1mJ（开），1.5mJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 414nC
25°C 时 Td（开/关）值 84ns/280ns
测试条件 400V，80A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 85ns
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247
描述：
是使用*的专有沟槽栅极场截止结构开发的IGBT。是新型HB系列IGBT的一部分，它代表了导通和开关损耗之间的状态，可大限度地提高任何变频器的效率。
特征：
高速开关系列
小化尾电流
安全并联
紧密的参数分布
低热阻
非常快速的软恢复反并联二极管
应用：
光伏逆变器
高频转换器
沟槽型场截止单项晶体管 STGW80H65DFB 由星际金华*优势供应，有意者，请咨询公司工作人员！
