CSD18532Q5B N沟道晶体管：
一，规格：
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100A（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值）
3.2 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值）
58nC @ 10V
Vgs（大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值）
5070pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（大值）
3.2W（Ta），156W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-VSONP（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFN
二，特征：
超低Qg和Qgd
低热阻
通过雪崩评级
逻辑水平
无铅端子电镀
符合RoHS标准
无卤素
SON 5毫米×6毫米塑料封装
三，应用：
DC-DC转换
次级侧同步整流器
隔离式转换器初级侧开关
电机控制
四，说明：
这款2.5mΩ，60V SON 5 mm×6 mm NexFET™功率MOSFET旨在大限度地降低功率转换应用中的损耗。
以上型号 CSD18532Q5B N沟道晶体管 为星际金华优势供应，如需了解更多详情，欢迎询问公司工作人员，我们将竭诚为您服务！
