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SiC晶圆激光快速退火系统

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更新时间:2022-01-02 11:00:43浏览次数:253

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产品简介

采用激光对重掺杂 SiC 表面沉积一种或几种过渡金属进行合金化,精确控制激光能量和分布,形成良好的欧姆接触。采用激光方式可忽略衬底正面结构的影响,更好的与减薄工艺兼容,简化工艺流程,提高器件性能。

详细介绍

产品特点
  • · 支持薄片退火 · 优秀的退火表面形貌和电学特征

  • · 10-5Ωcm²量级的比接触电阻率

  • · 高效率、低成本控制

  • · I F 值提高 30% 以上 · 完整的全程监控反馈功能


应用产品类型

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技术指标

项目LA2540S LA2550S
晶圆尺寸4/6 Inch 兼容
典型扫描时间180 sec/p @4 inch90 sec/p @4 inch
激光能量密度≥ 5J/cm²
激光输出稳定性≤ 2%,RMS,4hrs
比电阻接触率

≤ 10 -5Ωcm²

自动传片系统双 LoadPort、多关节机器手、预准直器

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