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IGBT 晶体管 详细摘要: IGBT 晶体管 STGD8NC60KDT4:该IGBT采用*的PowerMESH™工艺,在开关性能和低导通状态之间实现了出色的折衷。
产品型号:STGD8NC60KDT4 所在地:深圳市 更新时间:2019-06-11 参考价: 面议 在线留言 -
分立单路晶体管 详细摘要: IRFL210TRPBFTD30PF03LT4 分立单路晶体管:提供了快速开关,坚固耐用的器件设计,低导通电阻和成本效益的组合。
产品型号:IRFL210TRPBF/STD30PF03LT4 所在地:深圳市 更新时间:2019-04-20 参考价: 面议 在线留言 -
单项晶体管 详细摘要: NTMFS4955NT1GTP21N65M5 单项晶体管:产品具有极低的导通电阻,这在硅基功率MOSFET中是的,因此特别适用于需要功率密度和出色效率的应用。
产品型号:NTMFS4955NT1G/STP21N65M5 所在地:深圳市 更新时间:2019-04-17 参考价: 面议 在线留言 -
沟槽型场截止单项晶体管 详细摘要: 沟槽型场截止单项晶体管 STGW80H65DFB:是使用*的专有沟槽栅极场截止结构开发的IGBT。是新型HB系列IGBT的一部分,它代表了导通和开关损耗之间的状...
产品型号:STGW80H65DFB 所在地:深圳市 更新时间:2019-03-27 参考价: 面议 在线留言 -
N沟道单项分立晶体管 详细摘要: PSMN005-75B/PSMN3R3-80BS N沟道单项分立晶体管:表面贴装 N 沟道 pval(2068) 120A(Tc) 306W(Tc) D2PAK
产品型号:PSMN005-75B/PSMN3R3-80BS 所在地:深圳市 更新时间:2019-01-08 参考价: 面议 在线留言 -
N沟道晶体管 详细摘要: N沟道晶体管 CSD18532Q5B:这款2.5mΩ,60V SON 5 mm×6 mm NexFET™功率MOSFET旨在大限度地降低功...
产品型号:CSD18532Q5B 所在地:深圳市 更新时间:2018-11-19 参考价: 面议 在线留言 -
N沟道单项晶体管 详细摘要: N沟道单项晶体管 STFH24N60M2:该器件是采用MDmesh™M2技术开发的N沟道功率MOSFET。 由于其条带布局和改进的垂直结构,该器件具...
产品型号:STFH24N60M2 所在地:深圳市 更新时间:2018-11-10 参考价: 面议 在线留言