分立单路晶体管

IRFL210TRPBF/STD30PF03LT4 分立单路晶体管：

规格：

IRFL210TRPBF：

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 960mA（Tc）

驱动电压   10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On   1.5 欧姆 @ 580mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）  4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）  8.2nC @ 10V

Vgs   ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）  140pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散  2W（Ta），3.1W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-223

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA

STD30PF03LT4：

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 24A（Tc）

驱动电压  5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On  28 毫欧 @ 12A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）  1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）  28nC @ 5V

Vgs  ±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）  1670pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散  70W（Tc）

工作温度 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 DPAK

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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