单项晶体管

NTMFS4955NT1G/STP21N65M5 单项晶体管：

规格：

NTMFS4955NT1G：

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.7A（Ta），48A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 6 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 10.8nC @ 4.5V

Vgs（大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 1264pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（大值） 920mW（Ta），23.2W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封装/外壳 8-PowerTDFN，5 引线

STP21N65M5：

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 190 毫欧 @ 8.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 50nC @ 10V

Vgs（大值） ±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 1950pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（大值） 125W（Tc）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

以上型号 NTMFS4955NT1G/STP21N65M5 单项晶体管 由星际金华优势型号供应，原装*，价格实惠，更多详细，请咨询公司工作人员！