TC-Wafer等离子蚀刻晶圆温度测量系统 半导体晶圆温度检测监测

TC-Wafer等离子蚀刻晶圆温度测量系统 半导体晶圆温度检测监测

产品引言

等离子蚀刻（Plasma Etching）是一种将化学和物理过程相结合的加工技术，用于在材料表面形成精确的图案和结构。

温度对等离子蚀刻的影响：

蚀刻速率： 温度可以影响等离子体中离子的能量和移动性，从而影响蚀刻速率。一般来说，温度升高会增加离子的动能，导致蚀刻速率的增加。

选择性： 温度的变化可能影响不同材料的蚀刻速率，从而影响选择性。在一些情况下，调整温度可以优化特定材料的选择性蚀刻。

表面质量： 温度的变化可能影响表面的化学反应速率，从而影响蚀刻的表面质量。过高或过低的温度可能导致不理想的表面结构。

边缘效应： 温度变化可能引起边缘效应，即在材料的边缘区域蚀刻速率不同于中心区域，影响结构的精度和均匀性。

温度控制在等离子蚀刻中的作用：

在等离子蚀刻过程中，温度控制是非常重要的，因为温度的变化可能对蚀刻结果产生影响。合理的温度控制可以带来以下好处：

蚀刻稳定性： 稳定的温度有助于蚀刻过程的稳定性，减少蚀刻速率的波动，从而获得更一致的加工结果。

选择性控制： 在特定温度下，可以实现特定材料的选择性蚀刻，优化图案制备过程。

产品质量： 控制温度可以减少表面缺陷和边缘效应，提高产品的质量和一致性。

工艺可重复性： 稳定的温度条件有助于确保不同批次或不同设备下的蚀刻过程的可重复性。

产品概述

TC-Wafer等离子蚀刻晶圆温度测量系统可用于记录等离子蚀刻工艺环境对真实工艺条件下生产晶圆的影响。 高精度温度传感器能够实现晶圆整体温度监测，这与导体蚀刻工艺的 CD 均匀性控制密切相关。通过测量与产品工艺接近条件下的温度数据，可以帮助工艺工程师完成调整蚀刻工艺条件，验证及匹配腔体、和PM后的验证等工作。

TC-Wafer等离子蚀刻晶圆温度测量系统 半导体晶圆温度检测监测