当前位置:沈阳科晶自动化设备有限公司>>化学气相沉积设备(PECVD等)>> 单室等离子增强化学气相沉积(PECVD)
1700℃两通道混气高真空CVD系统GSL-1700X-4-C2HV
1700℃单温区三通道混气CVD系统GSL-1700X-F3LV
带滑动法兰三温区CVD系统OTF-1200X-5-III-F3LV
产品简介:单室等离子增强化学气相沉积(PECVD)是一种用等离子体激活反应气体,促进在基体表面或近表面空间进行化学反应,生成固态膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是在高频或直流电场作用下,源气体电离形成等离子体,利用低温等离子体作为能量源,通入适量的反应气体,利用等离子体放电,使反应气体激活并实现化学气相沉积的技术。该系统为单室等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺研发设备,用于生长纳米线或用CVD,方法来制作各种薄膜是一款新的探索工具。
产品名称 | 单室等离子增强化学气相沉积(PECVD) |
安装条件 | 1、环境温度:10℃~35℃ 2、相对湿度:不大于75% 3、供电电源:220V、单相、50±0.5 Hz 4、设备功率:小于4KW 5、供水:水压0.2MPa~0.4MPa,水温15℃~25℃, 6、设备周围环境整洁,空气清洁,不应有可引起电器及其他金属件表面腐蚀或引起金属间导电的尘埃或气体存在。 |
技术参数 | 1、系统采用单室筒式结构,手动前开门; 3、极限真空度:8.0x10-5 Pa (经烘烤除气后,采用600L/S分子泵抽气,前级采用4L/S);系统真空检漏漏率:≤5.0x10-7Pa.l/S; 系统从大气开始抽气到8.0x10-4 Pa,40分钟可达到; 停泵关机12小时后真空度:≤5 Pa; 10、气体过滤设备用户自备; 11、系统尾气处理系统(用户自备)。 |
请输入账号
请输入密码
请输验证码
以上信息由企业自行提供,信息内容的真实性、准确性和合法性由相关企业负责,机床商务网对此不承担任何保证责任。
温馨提示:为规避购买风险,建议您在购买产品前务必确认供应商资质及产品质量。