美国吉时利KEITHLEY2410源表高压源表功率为20W，能够提供和测量从±5μV（源）和±1μV（测量）到±1100V的电压，及从±10pA到±1A的电流。由于具有较高的电压源范围，2410非常适合于电阻和电压系数测试、变阻器、高压二极管、开关、齐纳管、射频 二极管和整流器的测试。2410在提供1100V电压的同时能够测量20mA的电流，具有精确测试所需的特殊分辨率。
美国吉时利KEITHLEY2410源表系列应用领域
各种器件的I-V功能测试和特征分析，包括：
• 离散和无源元件
–两抽头器件——传感器、磁盘驱动器头、金属氧化物可变电阻（MOV）、二极管、齐纳二极管、电容、热敏电阻
–三抽头器件——小信号双极结型晶体管（BJT）、场效应晶体管（FET）等等
• 简单IC器件——光学器件、驱动器、开关、传感器
• 集成器件——小规模集成（SSI）和大规模集成（LSI）
–模拟IC
–射频集成电路（RFIC）
–集成电路（ASIC）
–片上系统（SoC）器件
• 光电器件，例如发光二极管（LED）、激光二极管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面发射激光器（VCSEL）、显示器
• 圆片级可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、电迁移
• 太阳能电池
• 电池
暂态抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激光二极管、激光二极管模块、LED、光电检测器
电路保护器件:
TVS、MOV、熔丝
安全气囊
连接器、开关、继电器
碳纳米管
半导体纳米线
碳纳米管 FET
纳米传感器和阵列
单电子晶体管
分子电子
有机电子
基本运放电路
二极管和电路
晶体管电路
测试：
漏流
低压、电阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔离与轨迹电阻
温度系数
正向电压、反向击穿、漏电流
直流参数测试
直流电源
HIPOT
介质耐受性
双极结型晶体管设计
结型场效应晶体管设计
金属氧化物半导体场效应晶体管设计
太阳能电池和 LED 设计
高电子迁移率晶体管设计
复合半导体器件设计
分析纳米材料和实验器件
碳纳米管的电测量标准
测量碳纳米管电气特性
提高纳米电子和分子电子器件的低电流测量
在低功率和低压应用中实现准确、可靠的电阻测量
纳米级器件和材料的电气测量
提高超高电阻和电阻率测量的可重复性
一种微分电导的改进测量方法
纳米技术准确电气测量的技术
纳米级材料的电气测量
降低外部误差源影响的仪器技术
迎接65nm节点的测量挑战
测量半导体材料的高电阻率和霍尔电压
用微微微安量程测量电流
栅极电介质电容电压特性分析
评估氧化层的可靠性
半导体器件结构设计和试验低电阻、低功耗半导体器
输出极低电流和测量极低电压分析现代材料、半导体和纳米电子元件的电阻
低阻测量(低至10nΩ)分析导通电阻参数、互连和低功率半导体。
用于*CMOS技术的脉冲可靠性测试
高K栅极电介质电荷俘获行为的脉冲特性分析
用6线欧姆测量技术进行更高准确度的电阻测量
配置分立电阻器验证测试系统
电信激光二极管模块的高吞吐率直流生产测试
多台数字源表的触发器同步
高亮度、可见光LED的生产测试
OLED显示器的直流生产测试
在运行中第5次测量用于偏置温度不稳定特性分析
数字源表的缓冲器以及如何用这两个缓冲器获取多达5000点数据
连接器的生产测试方案
射频功率晶体管的直流电气特性分析
1. MOS 电容器
C-V 曲线 (高频：100kHz)：
掺杂类型 – 氧化层厚度 – 平带电压 – 阈值电压 – 衬底掺杂 – 耗尽层宽度 – 反型层到平衡的灵敏度：电压扫描率和方向 – 光效应和温度效应。
I-V 曲线分析：
电荷建立 (测量电压 - 时间图，用低电流源)； 氧化层电容测定； 与 C-V 曲线比较。
C-V 曲线 (准静态) 结合 C-V 曲线：
表面电位 Ψs 与施加电压的关系 – Si (100) 的表面态密度 Dit = f (Ψs) 与 Si (111) 的相比：方向和后处理退火的影响。
C-V 曲线 (高频：100kHz)：
移动氧化层电荷密度 (偏压温度应力：200°C，10 分钟，±10V)
2. 双极结型晶体管
主题
正向共发射极输出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 测量。
正向 CE 输入特性：Ib = f (Vbe) 对于几个 Vce 正值。
正向 Gummel 曲线： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
确定增益 βf = Ic/Ib 和 af。
Βf 与 log(Ic) 的关系： 低注入和高注入的效果。
非理想特性：尔利电压。
反向 CE 输出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
反向 CE 传输特性：Ib=f(Vbe) 对于几个Vce负值。
反向 Gummel 曲线： logIe, logIb=f(Vbc>0).
确定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。
Βr 与 log(Ie) 的关系： 低注入和高注入的效果。
Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 确定，对于给定的 Ib 电流。
Ebers Moll 模型构建并且与实验做比较。
BE 和 CE 结的 C-V 特性分析。基区掺杂浓缩。
3. 亚微米集成 MOSFET
输出特性：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增强或耗尽)，沟道长度调制参数(λ) 在饱和区域 (VDS<–3V) 有效沟道长度与 VDS 的关系。
传输特性
衬底偏压特性
亚阈值特性
衬底电流特性
VCSEL测试、光伏电池的I-V特性、IDDQ测试和待机电流测试、产生电流 (或电压) 脉冲、提升多引脚器件的生产量、创建可扩缩、多引脚、多功能IC测试系统、激光二极管模块和VCSEL进行高吞吐率直流、二极管生产测试、高亮度、可见光LED、验证变阻器、电池放电/充电周期、配置电阻网络、大电流变阻器、热敏电阻的生产测试
