BSC059N04LSG 单路N沟道晶体管：原装现货，质量保证，价格实惠，海量库存！
产品规格参数：
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Ta），73A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 5.9 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 2V @ 23µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 40nC @ 10V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 3200pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 2.5W（Ta），50W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TDSON-8-5
封装/外壳 8-PowerTDFN
特征：
用于SMPS的快速开关MOSFET
DC / DC转换器的优化技术
根据JEDEC1）认证，适用于目标应用
N通道 逻辑层
*的栅极电荷x R DS（on）产品（FOM）
导通电阻R DS（on）非常低
优异的耐热性
经过100％雪崩测试
无铅电镀； 符合RoHS
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