CY7C1021CV33-12ZSXET 高性能CMOS静态RAM存储器：
描述：
CY7C1021CV33-12ZSXET：
是一款高性能CMOS静态RAM，组织为65,536字×16位。 该器件具有自动断电功能，可在取消选择时显着降低功耗。
规格：
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 异步
存储容量 1Mb （64K x 16）
存储器接口 并联
写周期时间 - 字，页 12ns
访问时间 12ns
电压 - 电源 3V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 125°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装 44-TSOP II
特征：
引脚和功能与CY7C1021CV33兼容
高速
CMOS可实现速度和功率
低有功功率：325 mW
取消选择时自动断电
独立控制高位和低位
采用无铅和非无铅44引脚400 mil SOJ，44引脚TSOP II和48引脚FBGA封装
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