机床商务网
详细介绍
兼顾提高芯片抗弯强度和维持外质吸杂（Gettering）功能的磨轮
加工对象: Silicon wafer, etc
随着晶圆的超薄化发展，存在着降低外质吸杂效果的威胁。Gettering DP采用迪思科的干式抛光工艺，通过去除内部应力，即提高了芯片抗弯强度又维持了外质吸杂功能。由于干式抛光工艺不使用化学药品，在减轻环境负荷的同时，与使用研磨液以及化学药品的抛光工艺相比，能够以更简便的操作完成薄片晶圆的研磨。
Gettering DP 的种类
根据用途，可提供2种类型的GetteringDP 。与标准的GA类型相比，因为MZ类型的DP磨轮更能提高晶圆的抗弯强度，所以能够实现更薄的晶圆抛光加工。但是，MZ类型需要根据加工物的不同，详细选定加工条件，具体本公司的销售人员。
| GA*** type | 标准型GetteringDP |
| MZ*** type | 与GA类型相比，提高了抗弯强度，能够实现更薄的晶圆抛光加工 |
实验结果
抗弯强度比较（三点式抗弯强度测量法）
* Finish thickness: 25 µm Process: DBG （Dicing Before Grinding）
外质吸杂效果
于研磨后的镜面晶圆经强制污染后从反面析出的Cu浓度高于1.0E11的结果相比， Gettering DP研磨后的晶圆从反面析出的Cu浓度却低于检出下限值， 由此可知Gettering DP面具有外质吸杂效果。
Cu强制污染前后的TXRF测量结果（Φ8英寸镜面晶圆）
为了定量测定外质吸杂效果， 将经过Cu强制污染的样本以350 ℃加热3小时后，使用TXRF（全反射式X光荧光光谱仪）进行分析。以Gettering DP的研磨晶圆为例， 研磨面经过Cu强制污染并扩散后，使用TXRF分析反面（镜面）析出的Cu量。
※0.5E10 atoms/cm2以下为检出极限。
技术规格
机床商务网