N沟道单项晶体管

供应 N沟道单项晶体管 STFH24N60M2：

一、规格： FET 类型    N 沟道
技术    MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）    600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）    18A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）    10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值）    190 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值）    4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值）    29nC @ 10V
Vgs（大值）    ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值）    1060pF @ 100V
FET 功能    -
功率耗散（大值）    35W（Tc）
工作温度    -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型    通孔
供应商器件封装    TO-220FP
封装/外壳    TO-220-3 整包

二、描述：

该器件是采用MDmesh™M2技术开发的N沟道功率MOSFET。 由于其条带布局和改进的垂直结构，该器件具有低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求苛刻的高效转换器.TO-220FP宽爬电封装为功率MOSFET提供更高的表面绝缘，以防止 由于电弧放电导致的故障，可能在污染环境中发生

三、特征：

极低的栅极电荷
出色的输出电容（COSS）曲线
100％通过雪崩测试
齐纳保护
引脚之间的爬电距离为4.25 mm

四、应用：

切换应用
LLC转换器，谐振转换器

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