并联易失存储器

星际金华优势提供 AS4C256M16D3B-12 并联易失存储器：

规格：
存储器类型    易失
存储器格式    DRAM
技术    SDRAM - DDR3
存储容量    4Gb （256M x 16）
时钟频率    800MHz
写周期时间 - 字，页    15ns
访问时间    20ns
存储器接口    并联
电压 - 电源    1.425 V ~ 1.575 V
工作温度    -40°C ~ 95°C（TC）
安装类型    表面贴装
封装/外壳    96-TFBGA
供应商器件封装    96-FBGA（13.5x9）

特征：
双数据速率架构;每个时钟周期两次数据传输
通过8位预取流水线架构实现高速数据传输
利用用于在接收器处捕获数据的数据发送/接收双向差分数据选通（DQS和DQS）
DQS与READ数据边缘对齐;与WRITE数据中心对齐
差分时钟输入（CK和CK）
DLL将DQ和DQS转换与CK转换对齐
在每个正CK边缘输入的命令;数据和数据掩码引用DQS的两个边
用于写入数据的数据掩码（DM）
通过可编程附加延迟发布CAS，以获得更好的命令和数据总线效率
片上终端（ODT）可获得更好的信号质量
同步ODT
动态ODT
异步ODT
用于预定义模式读出的多用途寄存器（MPR）
DQ驱动和ODT的ZQ校准
可编程部分阵列自刷新（PASR）
RESET引脚，用于上电顺序和复位功能
SRT范围：正常/扩展
可编程输出驱动器阻抗控制
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AS4C256M16D3B-12 并联易失存储器：**现货，优势库存，质量保证，量大价优。对此型号感兴趣的商友，星际金华欢迎您的咨询！