宽波段近红外模块（1000nm~1900nm）
它被连接到光电二极管探测器阵列上。光通过300/330μm的二氧化硅和入口狭缝耦合进入光谱仪。光由光谱仪腔内的全反射引导。光谱仪本身是一个微模压的整体器件，包括入口狭缝、聚焦凸面平场和相机反射镜。这些元素被安排在罗兰的设计中。
利用LIGA技术复制光学表面质量的微结构。整体罗兰设计保证了*的机械，热和光学稳定性。由于光学元件的几何位置固定，波长定标几乎没有热漂移。波长到像素的校准功能在产品的使用寿命内是稳定的，不需要任何重新校准。低重量和整体设计使它不敏感的机械和振动应力。制造工艺和所选材料的使用确保了良好的抗热应力和苛刻的环境条件。
aMSM NIR 256微光谱仪采用Hamamatsu G13913-1349 InGaAs光电二极管阵列。可以提供两个不同的光谱范围选择，1.7版本覆盖900nm~1700nm，1.9版本覆盖1000nm~1900nm。在此基础上增加了检测范围宽度，可以检测的物质也随之增加。
INSION设计的新一代NIR系统。由于改进的单片设计，出色的光学特性以及小尺寸，在各种新的和常见的应用中开辟了可能性。它们非常适合用于分析和诊断手持设备，由于具有良好的仪器间协议，因此具有很高的成本效益。典型的应用范围从仪器分析，生物和临床系统的物质鉴定和农业和营养产品的分析。
主要参数：
| aMSM NIR 1.7 NT 256 | aMSM NIR 1.9NT 256 | |
| 光谱范围 | 900nm ~ 1700nm | 1000nm ~ 1900nm |
| 光谱分辨率（FWHM） | 10nm（4.1nm像素间隔） | 10nm（4.1nm像素间隔） |
| 光谱准确度 | 2nm | 2nm |
| 光谱重复性 | ≤0.1nm | ≤0.1nm |
| 灵敏度 | >150E12 cts*nm/Ws @ 1500nm | >150E12 cts*nm/Ws @ 1500nm |
| 温度漂移 | ＜0.05nm/K | ＜0.05nm/K |
| 探测器 | InGaAs阵列探测器， 256像元 | InGaAs阵列探测器， 256像元 |
