深圳市明佳达电子有限公司 * SPD08N50C3 和 IPI126N10N3G 分立半导体晶体管 只做原装 全新* 量大价优 质量保证 有兴趣的商友 欢迎随时联络我们
一、SPD08N50C3 ：
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）
驱动电压（Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On 600 毫欧 @ 4.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th） 3.9V @ 350µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg） 32nC @ 10V
Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 750pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散 83W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3-1
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
二、IPI126N10N3G ：
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）
驱动电压（Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On 12.6 毫欧 @ 46A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th） 3.5V @ 46µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg） 35nC @ 10V
Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 2500pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散 94W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO262-3
封装/外壳 TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
售后服务：
非人为失误导致引脚氧化，上机无法正常工作等系列质量问题，30天包换.（退换流程：客户自签收起15天内应完成抽样测试，如有质量问题，请在30天内提供检测反馈报告或照片，证实有效即可退或换）
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以上为 SPD08N50C3 和 IPI126N10N3G 分立半导体晶体管 的详细参数，深圳市明佳达电子有限公司为您提供*的原装产品，库存货源充足，**，质量保证，网上标价以及提供的产品信息、图片，仅供参考，实际交易以咨询为准，有意者欢迎随时联络我们！！！
