星际金华优势提供 CY7C1512KV18-300BZXI 同步并联易失存储器 原装*，*，海量库存，价格优势！
描述：
是同步流水线突发SRAM，具有读端口和写端口。 读端口于读操作，写端口于写操作。 数据通过写端口流入SRAM，并通过读端口流出。
特征：
独立的独立读写数据端口
350 MHz时钟，用于高带宽
所有访问都有2个字的突发
读取和写入端口上的双倍数据速率（DDR）接口（以700 MHz传输的数据），频率为350 MHz
两个输入时钟（K和K），用于精确的DDR时序
单个多路复用地址输入总线锁存读取和写入端口的地址输入
单独的端口选择深度扩展
同步内部自定时写入
完整数据*性，提供新数据
提供无铅和非无铅封装
可变驱动器HSTL输出缓冲器
规格：
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 同步，QDR II
存储容量 72Mb （4M x 18）
时钟频率 300MHz
写周期时间 - 字，页 -
存储器接口 并联
电压 - 电源 1.7V ~ 1.9V
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 165-LBGA
供应商器件封装 165-FBGA（13x15）
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