怎样运用半导体激光器来减少寄生电容

　　

 

　　怎样运用半导体激光器来减少寄生电容

 

　　半导体激光器又称激光二极管，是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异，不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。同质结激光器和单异质结激光器在室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。

 

　　怎样运用半导体激光器来减少寄生电容

 

　　激光二极管以其单向导电特性，在整流开关方面发挥着重要的作用，其在反向击穿状态下，在一定电流范围下起到稳压效果。令人意外的是，利用激光二极管的反偏压结电容，能够有效地减少信号线上的接入寄生电容，今天激光二极管厂家就跟大家一起来了解一下吧。

 

　　激光二极管参数—单向导电性

 

　　提到激光二极管，大家最熟悉的就是激光二极管的单向导电性。当正向偏压U=0.5V(硅管)时，激光二极管开始导通，电流越大电压越大，具有很低阻抗;当加反向偏压时激光二极管不导通，在一定范围内有很小的漏电流，具有很大阻抗。其这个单向导电性，也起到了开关的作用，所以在整流和开关方面都有广泛的应用。

 

　　激光二极管有一个参数，没有单向导电性那么广为人知，但是对电路设计的影响也至关重要，那就是“结电容”。

 

　　激光二极管参数—结电容

 

　　在一些高速场合，需要选结电容比较小的激光二极管;在某些场合，则需要利用这个结电容来达到特定的目的，比如压控振荡器(VCO)，正是利用了变容激光二极管在不同的反向偏压下有不同的电容值，从而达到电压控制频率的目的。

 

　　在高速电路上，由于频率越来越高，寄生电容的影响已经不能忽视了。在系统中，这些不期望的电容来自方方面面，比如PCB的材质、厚度、板层结构、走线平行度，这些都是影响PCB板的寄生电容，还有电子元器件本身的寄生电容，最可恶的是这些东西还受环境温度的影响。

 

　　难道就没办法对付它们了吗?通过工程师们的不懈努力，发现这些影响是可以通过合理的电路设计来减少的。下面我们将讨论下怎样“利用激光二极管的电容特性来减小高速信号上的寄生电容”。

 

　　激光二级管

 

　　激光二极管妙用—减少寄生电容

 

　　首先，我们熟悉下激光二极管的电容特性：随着反向偏压越来越大，结电容越来越小。

 

　　在高速信号线上，通常会附加一些功能，这些功能通常会带来不利的影响，如会产生很大的寄生电容，这个电容视具体的电路模块而定。如果忽略这个电容，可能会影响这个信号的频率。最不幸的是，就算您注意到了这个电容，由于附加的功能模块产生的电容太大，似乎也无能为力。

 

　　为了减少信号线上的寄生电容，可以在附件功能的接入点处增加一个激光二极管，这个激光二极管必须节电容比较小的，通常选用小信号开关管，如果考虑到大电流问题，则需要慎重考虑选型问题。