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4H-N碳化硅晶锭生产商激光冷切割冷剥离
恒迈瑞专注于生产高质量4H-N碳化硅晶锭，并为激光冷切割设备激光冷剥离设备生产商供应6英寸导电型碳化硅晶锭。
激光冷切割技术先用激光照射晶锭形成剥落层，使碳化硅材料内部体积膨胀，从而产生拉伸应力形成一层非常窄的微裂纹，然后通过聚合物冷却步骤将微裂纹处理为一个主裂纹，最终将晶圆与剩余的晶锭分开。
该技术具有以下优势：1）每片晶圆总切口损失小于100μm；2）SiC晶圆的良率提高90%；3）该技术大幅减少了SiC晶圆生产过程中的原材料损耗，可以提供3倍的材料，最终SiC器件产能提高近2倍，成本降低20-30%。以单个20mm的SiC晶锭为例，采用多线切割技术可生产30片350μｍ的晶圆，而采用冷切技术能将单片晶圆厚度减少到200μｍ，晶圆产量提高到超80片。
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