碳化硅基氮化镓外延片生产厂家AlGaN/GaN 返回列表页

碳化硅基氮化镓外延片生产厂家AlGaN/GaN

苏州恒迈瑞材料科技有限公司生产AlGaN/GaN on SiC碳化硅基氮化镓外延片，4英寸及6英寸均可生产外延供应。我司采用高品质半绝缘碳化硅衬底晶片，衬底厚度500um。外延片指在单晶衬底上生长一层新单晶形成的产品，外延片决定器件约70%的性能，是半导体芯片的重要原材料。外延片作为半导体原材料，位于半导体产业链上游，是半导体制造产业的支撑性行业。外延片制造商在衬底材料上通过CVD（Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积）设备、MBE（Molecular Beam Epitaxy，分子束外延）设备等进行晶体外延生长、制成外延片。

第三代半导体材料包括了以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带化合物半导体。一二代半导体材料工艺已经逐渐接近物理极限，在微电子领域的摩尔定律开始逐步失效，而第三代半导体是可以超越摩尔定律的。相比于一代及第二代半导体材料，第三代半导体材料在高温、高耐压以及承受大电流等多个方面具备明显的优势，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。