当前，随着半导体技术不断微缩，*的集成电路器件已从平面向三维结构转变，集成电路制造工艺正变得越来越复杂，往往需要经过几百甚至上千道的工艺步骤。对于*的半导体器件制造，每经过一道工艺，硅片表面都会或多或少的存在颗粒污染物、金属残留或有机物残留等，器件特征尺寸的不断缩小和三维器件结构的日益复杂性，使得半导体器件对颗粒污染、杂质浓度和数量越来越敏感。对硅晶元上掩模表面的污染微粒的清洗技术提出了更高的要求，其关键点在于克服污染微颗粒与基材之间极大的吸附力，传统的化学清洗、机械清洗、超声清洗方法均无法满足需求，而激光清洗可以很容易解决此类污染问题。

另外，随着集成电路器件尺寸持续缩小，清洗工艺过程中的材料损失和表面粗糙度成为必须关注的问题，将微粒去除而又没有材料损失和图形损伤是最基本的要求，激光清洗技术具有非接触性、无热效应，不会对被清洗物体产生表面损坏，且不会产生二次污染等传统清洗方法所的优势，是解决半导体器件污染的清洗方法。