高真空单室热蒸发系统 返回列表页

产品型号

高真空单室热蒸发系统

主要特点

系统主要由真空室系统蒸发室、蒸发源系统、样品台系统、 真空抽气及测量系统、气路系统、控制系统、膜厚测试 系统、上盖液压开启机构、电控系统组成。

技术参数

1、极限真空度5×10^-5Pa，系统漏率：1×10^-7PaL/S； 恢复真空时间：40分钟可达6.6×10 Pa（短时间暴露 大气并充干燥氮气后开始抽气）
2、真空室：圆形真空室，尺寸300× 350mm
3、样品台：尺寸为3英寸×3英寸，厚度3.2mm的平面样品；
4、金属电极：数量：1支，标准型钎焊间接水冷结构；直径Φ20㎜，内水冷；
5、有机束源炉：数量：3支，标准型600度控温，向上蒸发成膜；
6、样品架：在基片转盘上有1个基片位置放置样品托（样品托可以分别放置2英寸）孔安装加热炉。为了在2英寸基片台范围内提高膜厚均匀性，基片在镀膜位置实现自转。基片的温度从室温至600℃（硅片上表面的温度，只需标定一次即可）；
7、4套挡板系统：基片挡板与源挡板；靶挡板共有3套，动密封手动控制； 样品挡板（１套），磁力拨叉；
8、手动控制 气路系统:质量流量控制器1路 石英晶振膜厚控制仪：膜厚测量范围0-999999Å 可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统。

标准配件

可选配件