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《厦门阿米控技术有限公司》位于福建省厦门市，是一家集生产加工、经销批发为一体、经相关部门批准注册的企业。
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高功率半导体激光器历史
1962年9月16日，通用电气公司的罗伯特·霍尔(RobertHall)带领的研究小组展示了砷化镓(GaAs)半导体的红外发射，这种半导体具有“奇怪的”干涉图形，意味着相干激光-半导体激光器的诞生。霍尔初认为半导体激光器是一个“远射”，因为当时的发光二极管效率很低。同时他对此也持有怀疑态度，因为当时两年前才被证实、已经存在的激光器，需要“精美的镜子”。
1962年夏天，霍尔表示，对于麻省理工学院林肯实验室研发的效率更高的砷化镓发光二极管，他感到相当震惊。随后，他表示很幸运能通过一些高质量的GaAs材料进行测试，并利用他作为一个业余天文学家的经验，开发出了一种方法来抛光GaAs芯片边缘，形成一个腔体。
霍尔成功的演示是基于辐射在交界面上来回反弹，而不是垂直反弹的设计。他谦虚地表示，此前没有人“碰巧提出这个想法。”实际上，霍尔的设计本质上是一个幸运的巧合，即形成波导的半导体材料也具有同时限制双极载流子的性质。否则就不可能实现半导体激光器。通过使用不相似的半导体材料，可以形成平板波导以使光子与载流子重叠。
在通用电气公司进行的这些初步演示是一项重大突破。然而，这些激光器远不是实用的器件，为了促使高功率半导体激光器的诞生，必须实现不同技术的融合。关键技术创新始于对直接带隙半导体材料和晶体生长技术的理解。
后来的发展包括双异质结激光器的发明和量子阱激光器的后续发展。进一步增强这些核心技术的关键在于效率的提高以及腔面钝化、散热和封装技术的发展。
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