单路N沟道晶体管

BSC059N04LSG 单路N沟道晶体管：原装现货，质量保证，价格实惠，海量库存！

产品规格参数：

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Ta），73A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 5.9 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 2V @ 23µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 40nC @ 10V

Vgs（大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 3200pF @ 20V

FET 功能 -

功率耗散（大值） 2.5W（Ta），50W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 PG-TDSON-8-5

封装/外壳 8-PowerTDFN

特征：

用于SMPS的快速开关MOSFET
DC / DC转换器的优化技术
根据JEDEC1）认证，适用于目标应用
N通道 逻辑层
*的栅极电荷x R DS（on）产品（FOM）
导通电阻R DS（on）非常低
优异的耐热性
经过100％雪崩测试
无铅电镀； 符合RoHS

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