分立半导体晶体管

深圳市明佳达电子有限公司    *  SPD08N50C3 和 IPI126N10N3G  分立半导体晶体管   只做原装    全新*    量大价优   质量保证    有兴趣的商友    欢迎随时联络我们

一、SPD08N50C3 ：

FET 类型    N 通道
技术    MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）    500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）    7.6A（Tc）
驱动电压（Rds On）    10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On    600 毫欧 @ 4.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）    3.9V @ 350µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）    32nC @ 10V
Vgs    ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）    750pF @ 25V
FET 功能    -
功率耗散    83W（Tc）
工作温度    -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型    表面贴装型
供应商器件封装    PG-TO252-3-1
封装/外壳    TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

二、IPI126N10N3G ：

FET 类型    N 通道
技术    MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）    100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）    58A（Tc）
驱动电压（Rds On）    6V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On    12.6 毫欧 @ 46A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）    3.5V @ 46µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）    35nC @ 10V
Vgs    ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）    2500pF @ 50V
FET 功能    -
功率耗散    94W（Tc）
工作温度    -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型    通孔
供应商器件封装    PG-TO262-3
封装/外壳    TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

售后服务：
非人为失误导致引脚氧化，上机无法正常工作等系列质量问题，30天包换.（退换流程：客户自签收起15天内应完成抽样测试，如有质量问题，请在30天内提供检测反馈报告或照片，证实有效即可退或换）

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