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电气陶瓷性能

阅读:325          发布时间:2022-7-11

按GB/T5594.2的规定进行,对压电陶瓷材料泊松比的测试按GB/T11311的规定进行。导热系数(热导率)测试。

破碎后,立即进行目视检查;透液性是样品通过品红试剂渗透到陶瓷体后,能够用肉眼可观察到的程度来表示。

GB/T11311-1989 压电陶瓷材料性能测试方法 泊松比的测试;

高温马弗炉:控制在800℃以上的任一规定温度(T),温度控制T±5℃内。任何冷热槽池的容积应当大于试验样品和浸入装置体积的五倍。

;;试验装置,液体冷却槽池:由碎冰和水构成,温度低于1℃;干燥冷却槽池:满足所需规定温度(T)的低温箱,温度控制在T±5℃内;

GB/T5593-1996 电子元器件结构陶瓷材料;

试样的绝缘强度;施加入电压的速度;电极的材料为、尺寸;试验时周围介质、温度;试验日期和试验员。

GB/T5597-1999 固体电介质微波复介电常数的测试方法;

GB/T7265.1-1987 固体电介质微波复介电常数的测试方法 微扰法;

试验报告所用槽池的类型和温度;样品尺寸及编号;对每个样品的目测检查结果和观察的方法;如有规定,热冲击样品的单次、平均抗折强度。

显气孔率的测试对多孔陶瓷材料其气孔率按GB/T1966的规定进行。透液性测试加压透液性测试,试剂及装置。

按GB/T5598的规定进行,室温下的测试也可按GJB1201.1的规定进行。抗热震性测试试验样品,试验样品应任选以下一种尺寸;

试样应保持清洁干燥,在正常试验大气条件下放置不少于24h。测试设备介电常数和介质损耗角正切值可采用Q表、损耗仪及精密阻抗分析仪等进行测量。

或者70(1±10%)MPa的压力,并保持6h;在试验压力施加完毕后,将样品取出冲洗干净并充分干燥;

从零或者从击穿电压以下的电压值逐渐增加电压,直至试验样品发生击穿并丧失其绝缘性能。单位厚度的击穿电压值称为绝缘强度。

GJB1201.1991 固体材料为高温热扩散率试验方法 激光脉冲法;

电极,银电极:在试样两侧面圆心处被银电极并经低温烘烤,电极直径为(8±0.5)mm;铜电极:一对圆柱体,直径25mm,厚度25mm。

GB/T5594.3-1985 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 平均线膨胀系数测试方法;

GB/T1966-1996 多孔陶瓷显气孔率、容重试验方法;

体积电阻率的测试,按GB/T5594.5的规定进行。

试样两端面应平整光滑;样品数量五只。在50℃的烘箱中放置48h,取出后,放入干燥器内冷却至室温,5h后即可试验。

GB/T8489-1987 工程陶瓷抗压缩强度试验方法;

试验条件本标准未特殊规定时,所有试验应按GB/T2421中所规定的试验的标准大气条件下进行;

GB/T9530-1988 电子陶瓷名词术语;

计算:绝缘强度按公式(1)计算:…………(1);U——试验的击穿电压,KV;d——试样厚度,mm;E——试样的绝缘强度,KV/mm。

GB/T5594.4-1985 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 介质损耗角正切值的测试方法;

GB/T11387-1989 压电陶瓷材料静态弯曲强度试验方法;

高温介电常数和介质损耗角正切的测试,按GB/T5594.4的规定进行。微波频率的介电常数和介质损耗角正切值的测试按GB/T5597或GB/T7265.1的规定方法进行。

破碎后,立即进行目测;透液性是样品通过品红试剂渗透到陶瓷体后,能够用肉眼可观察到的程度来表示。

试剂——在1L浓度为50%的试剂级酒精中加入1g碱性品红;装置——能够获得规定压力并保持规定时间的任何压力容器。

制作样品而形成的小裂缝的任何渗透可忽略不计。报告根据7.2.3中d条检验的观察结果的描述。

温度:15℃~35℃,相对湿度:45%~75%,气压:86kPa~106kPa。体积密度的测试按GB/T2413的规定进行。

绝缘强度一般取五只样品试验结果的平均值。报告对每一试样应包括下列内容:试样的厚度;试样的击穿电压;

试验样品,样品应是从陶瓷本体上新截取的、清洁的、且表面无明显裂纹的、任意形状的试样,试样至少有75%的面积无釉或其他表面处理。

试样及其预处理试样,对被银电极,试样直径(35±5)mm;对铜电极,试样直径应适当加大。除另有规定外,厚度均为(1.0±0.5)mm;

GB/T2421-1999 电工电子产品基本环境试验 第1部分:总则;

测试步骤,从预处理环境中逐一取出样品;将试样接入测试线路、并将其浸入变压器油中;调节变压器,并使升压速率控制在1KV/s;

平均线膨胀系数测试,按GB/T5594.3的规定进行测量。绝缘强度测试试验原理,将一定形状、一定厚度的试验样品放置在变压器油中,对其施加直流或交流(f:50Hz)电压。

抗压强度测试按GB/T8489规定的方法进行测试。抗折强度的测试,根据不同尺寸规格的试验样品及其不同需要。

观察试验电压的指示,读取试样击穿时的电压值;将调压器退回,将高压充分短路放电后,换另一只试样,重复上述操作。

允许按GB/T5593-1996中5.6条、GB/T11387和GB/T6569的规定进行。杨氏弹性模量、泊松比的测试。

报告,所施加的压力太其时间;根据检验的观察结果的描述。常压透液性测试,试剂和装置,试剂——同7.1.1条a;装置——适当的开放式容器。

样品应无气孔及其他明显缺陷;用烧渗法在试样的两平面上覆上一层完整的银层,作为电极;样品数量:五只;

GB/T2413-1980 压电陶瓷材料体积密度测量方法;

试验条件试验应选择能够地引起某些结构失效的条件。试验步骤将试样放入到规定温度的冷却槽池中。

GB/T5594.2-1985 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 杨氏弹性模量、泊松比测试方法;

测量试样的电容值和介质损耗角正切值,并根据公式(2)计算试样的介电常数。…………(2);

介质损耗角正切值可采用任何适当的测量仪表直读测量数据,或根据测量仪表所给出的计算公式计算介质损耗角正切值。

GB/T6569-1986 工程陶瓷弯曲强度试验方法;

报告应包括下列内容:试验材料名称;试样的几何尺寸;试验频率;每个试样的以及五只试样的平均值。

E——试样的介电常数;CX——试样的电容量,pF;h——试样的厚度,cm;D——电极的直径,cm。

保温5min,取出后立即放到规定温度的热槽池或高温马弗炉中,保温5min,重复循环五次;将试样吕在品红溶液中浸放10min,取出冲洗后,充分干燥。

试验样品同7.1.2条。试验步骤将试验样品*浸入到装有品红液的开放式容器中;浸入时间不少于5min,然后将样品取出冲洗并充分干燥;

设备仪器和装置,电压调节范围为0~100KV的直流或交流(50Hz)高压击穿强度试验设备;容积约为1L的装有洁净变压器的绝缘容器。

试验步骤将样品*浸入到装有品红溶液的压力容器中;施加28(1±10%)MPa的压力,并保持15h;

介电常数和损耗角正切值的测试,频率小于10MHz,室温介电常数和损耗角正切值的测试。试验样品,推荐试验样品为圆片形,其尺寸为:(35±5)mm,厚度为(2±0.5)mm;或(20±3)mm,厚度为(1±0.5)mm;

GB/T5594.5-1985 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 体积电阻率测试方法;

在明亮光线下,检查试样裂痕、龟裂等。如有规定时,应在试验后按GB/T11387的规定进行抗折强度的测试。

GB/T5598-1985 氧化铍瓷导热系数测定方法;

频率范围小于100MHz;仪器不准确度为±0.1%。测试步骤将试样和附带电极接入仪器的测试端,按测试仪器的规定。


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