硅片单面减薄技能首要使用于6500V高压系列的可控硅、整流二极管、高密度二极管的消费工艺，单面减薄的作用是前进硅片单面的外表毫伏数，以便于下一步磷扩散工序的顺利完结。目前，国内其他企业都选用常规减薄工艺，即用磨床减薄。

　　其存在如下问题：减薄的平均性差，减去的厚度难以精确操控，简略碎片，并且经过金刚砂研磨，又引进杂质，构成硅片外表态难以操控。本发明的目的是为了供给一种处理上述问题的构造规划合理、操作简略的硅片化学减薄设备，完结硅片单面化学减薄，不只消费批量大，并且前进了废品率，俭省资源，下降消费本钱。

　　本发明的技能方案是：一种硅片化学减薄设备，包含盛装混酸液体的箱体，其特征在于：所述箱体底面使用立柱固定有程度支撑板，所述程度支撑板下方固定有气体鼓泡盒且程度支撑板上开设有与气体鼓泡盒相通的矩阵状气泡通孔，所述程度支撑板上方设有支架且所述支架上支撑有用于装夹硅片的旋转提篮。

　　所述旋转提篮由两个圆形固定板、横向布置于两个圆形固定板之间的四根提篮杆组成，四根提篮杆以圆形固定板的中心线为对称中心平均散布，所述提篮杆沿其长度方向平均设有多个径向环形槽，四根提篮杆的径向环形槽方位互相对应且构成多个垂直方向的硅片装夹槽。