采用安全的LED光源的反射型晶圆定位传感器
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 ※1 |  ※2 |
| ※1 | EMC指令 |
|---|---|
| ※2 | Recognition认证 |
特点
安全性的LED式
以往使用激光的激光式定位传感器，激光会从加载口内侧穿过FOUP直射操作人员，十分危险。 |  |
亦可检测玻璃晶圆
M-DW1以反射光的位置来检测，不管反射光量的多少都能检测出玻璃晶圆。 |  |
可检测涂氮晶圆
氮化膜具有可吸收特定波长光的性质，吸收的波长因氮化膜的厚度而不同。因此，对于使用单波长激光的传感器，可能会因光全被吸收而无法检测。
而LED光源的光具有一定波长段，即使氮化膜晶圆也可准确检测。
0.5ms的高速反应
实现0.5ms的高速反应。兼顾高速反应性和高精度。
基于2段受光元件的高精度位置检测
利用反射光量检测时，反射光量和晶圆的边缘形状会影响检测结果。M-DW1的受光部使用2段受光元件，通过反射光位置而非反射光量进行检测。因此，受晶圆厚度和反射光量的影响较小。 |  |
可从四个方向引出电缆
传感器可以从正前方、右侧、左侧、下方四个方向引出电缆。可根据传感器的设置情况灵活调节。 |  |
内置放大器的小巧、轻盈型
尺寸为宽度80.6mm×厚度18.3mm×进深50mm，质量约为75g的小巧、轻盈型。 |  |
种类
| 型号 | 形状 | 中心检测距离 | 检测物体 | 输出 |
|---|---|---|---|---|
| M-DW1 |  | 45mm | 3以上的半导体晶圆 | NPN输出／PNP输出通过切换开关选择 |
规格
| 种类 | LED式反射型 | |
| 型号 | M-DW1 | |
| 中心测量距离 | 45mm | |
| 检测物体 | 3英寸以上的半导体晶圆(注2) | |
| 可对应检测面 | 有受光方向反射面的端面形状的检测面(注3) | |
| 检测角度 | 12.5±5°(注4) | |
| 晶圆间距 | 间距3mm以上时，可按通常灵敏度进行分离检测(注5) | |
| 适用晶圆盒 | SEMI规格FOUP晶圆盒/开放式晶圆盒 | |
| 电源电压 | 12〜24V DC±10% 脉动P-P10%以下 | |
| 消耗电流 | 65mA以下 | |
| 输出 | NPN输出／PNP输出 可由切换开关选择 NPN开路集电极晶体管 ・流入电流：100mA ・外加电压：30V DC以下(输出和0V之间) ・剩余电压：1V以下(流入电流为100mA时) 0.4V以下(流入电流为16mA时) PNP开路集电极晶体管 ・源电流：100mA ・外加电压：30V DC以下(输出和+V之间) ・剩余电压：1V以下(源电流为100mA时) 0.4V以下(源电流为16mA时) | |
| 输出动作 | 可用切换开关选择入光时ON/非入光时ON | |
| 短路保护 | 装备(自动复位) | |
| 反应时间 | 500μs以下 | |
| 工作状态指示灯 | 橙色LED(输出ON时亮起) | |
| 稳定指示灯 | 绿色LED(稳定入光时、稳定非入光时亮起点灯) | |
| 定时器功能 | 装备约2ms固定断开延迟定时器 有效/无效切换式 | |
| 投光停止输入 | 信号条件 ・投光停止：断开或4〜8V ・投光：0〜3V或9V〜+V(26.4V MAX.) | |
| 灵敏度切换输入 | 信号条件 ・输入OFF：断开或4〜8V ・输入ON ：0〜3V或9V〜+V(26.4V MAX.) | |
| 灵敏度设定 | 背面教导：按本体灵敏度设定按钮运行 检测灵敏度切换：本体开关2bit、4级或外部输入的2级选择式 | |
| 环 境 性 能 | 保护构造 | IP20(IEC) |
| 使用环境温度 | 0〜＋55℃(注意不可结露)、存储时：−10〜＋70℃ | |
| 使用环境湿度 | 35〜85%RH、存储时： 35〜85%RH | |
| 使用环境照明度 | 白炽灯：受光面照明度3,000lx以下、荧光灯：受光面照明度1,500lx以下 | |
| 耐电压 | AC1,000V 1分钟 所有电源连接端子与外壳之间 | |
| 绝缘电阻 | 所有电源连接端子与外壳之间，20MΩ以上，基于DC250V的高阻表 | |
| 耐振动 | 频率10〜500Hz 双振幅3mm X,Y和Z方向各2小时 | |
| 耐冲击 | 耐久98m/s2(约10G) XYZ方向各5回 | |
| 投光元件 | LED(调制式) | |
| 材质 | 外壳：ABS及SUS301、透镜： 丙烯 | |
| 电缆 | 0.15mm2 5芯橡皮电缆，长300mm | |
| 电缆延长 | 0.15mm2 以上的电缆全长可延长至10m | |
| 重量 | 本体重量：约75g | |
(注1)：无的测量条件为使用环境温度＝+20℃。
(注2)：检测8英寸以下的晶圆时，可能会因晶圆间距、定位边或表面的状态等而影响检测。
(注3)：对于经研磨后厚度变薄的晶圆，如果其端面呈刀刃状，可能会因光线不能从检测面向受光方向反射而难以检测。
(注4)：晶圆旋转时，定位边的跳动角度约为±20°。
(注5)：斜向插入8英寸晶圆时的附近的间距。检测带定位边的晶圆时，对于避开定位边的检测位置，晶圆间距变得更窄，检测信号无法分解，变为连续的宽幅信号。
尺寸图
- 单位mm
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