Siemens SKD62

Siemens SKD62

Siemens SKD62 AD5422采用6×6 LFCSP封装，底部提供裸露焊盘。这种情况下，裸露焊盘应连接到器件的zui低负基板以获得适当的热性能和电气性能，本例中是AVSS层。热阻抗值可以在数据手册上找到，此封装的额定值为28℃/W。这就明确决定了芯片上每消耗1W功率时内部芯片温度的升高程度。此数值需要加到系统环境温度中，以决定zui大系统工作条件。

　　如果考虑到短路条件下的功耗约为0.6W，且此LFCSP封装在连接裸露焊盘后的热阻抗为28℃/W，则可计算出故障条件下芯片温度将增加16.8℃。当然，还需要考虑到因器件静态电流而带来的温度增加，如AVSS和AVDD电源电流。通过参考数据手册，可以计算出这些静态电流源的总功耗约为128mW，而这些功率本身可导致芯片温度升高约3.5℃。因此，采用26V电源供电时，如果将24mA驱动至短路负载，则将此3.5℃加上短路条件下的16.8℃可以得到，芯片温度总共会上升约20℃。

　　计算模块内的zui大容许系统温度变得非常容易。用器件的zui大结温(可直接从数据手册中获得)减去内部自热引起的下降即可。通过简单的算术可知，内部zui大芯片温度为125℃。在此基础上减去20.3℃，即可得出系统或zui大系统环境温度为104.7℃。大多数系统都可以在70℃~80℃的环境下工作，因此对于此处示例，设计人员就不用再担心什么。一个问题是，某些情况下系统中可能需要电压更高的电源，具体可能取决于产品所用于的应用类型。如果超过40V或45V，则片内功耗可增加至接近1W，不过只要遵循上述规则和指南并确保系统内的环境温度足够低，那么器件仍可正常工作。

　　如上所述，我们能够添加外部过流器件，使过多电流从外部到达器件，作用就好像传输晶体管，从而保证芯片上的功耗较低。当然，此晶体管必须能够承载适当的电流，而不给系统带来任何误差。虽然这肯定是改善IC器件的一种方法，但仍要求所有功率都在模块内损耗。如果考虑到模块尺寸越来越小，有时系统内的通道数量可能受限，或者需要减小要驱动的zui大负载，以保持低功耗。

6ES7322-1HF01-0AA0 开出模块（8点,继电器,2A）
6ES7322-1HF10-0AA0 开出模块（8点,继电器,5A，独立接点）
6ES7322-1HH01-0AA0 开出模块(16点,继电器)
6ES7322-5HF00-0AB0 开出模块（8点,继电器,5A，故障保护）
6ES7322-1FH00-0AA0 开出模块（16点，120V/230VAC）
6ES7323-1BH01-0AA0 8点输入，24VDC；8点输出，24VDC模块
6ES7323-1BL00-0AA0 16点输入，24VDC；16点输出，24VDC模块
模拟量模板
6ES7331-7KF02-0AB0 模拟量输入模块(8路，多种信号)
6ES7331-7KB02-0AB0 模拟量输入模块(2路，多种信号)
6ES7331-7NF00-0AB0 模拟量输入模块(8路，15位精度)
6ES7331-7NF10-0AB0 模拟量输入模块(8路，15位精度)4通道模式
6ES7331-7HF01-0AB0 模拟量输入模块(8路，14位精度，快速)
6ES7331-1KF01-0AB0 模拟量输入模块(8路, 13位精度)
6ES7331-7PF01-0AB0 8路模拟量输入,16位,热电阻
6ES7331-7PF11-0AB0 8路模拟量输入,16位,热电偶
6ES7332-5HD01-0AB0 模拟输出模块(4路)