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抛光垫将抛光液中的磨粒输送到工件表面,使突起的部分平坦化,是输送抛光液的关键部件。抛光垫的剪切模量及弹性模量、粗糙度和可压缩性等机械特性对工件的平整度及去除率有着重要影响。抛光垫的硬度对抛光均匀性有明显的影响,硬垫可获得较好的晶片内(Within Wafer. WIW)均匀性和较好的平面度,软垫可改善芯片内(Within Die. WID)均匀性,通过组合使用硬垫及软垫,来获得良好的WID和WIW,如在圆片及其固定装置间加一层弹性背膜,就可满足刚性及弹性的双重要求。抛光垫按其组成的材质,可以分为聚氨醋抛光垫、无纺布抛光垫、带绒毛结构的无纺布抛光垫和两层符合体抛光垫。抛光垫的表面粗糙度及多孔性将影响工件实际参与加工的面积、抛光液的传输量和材料去除率。抛光垫表面越粗糙,接触的面积就越大,使得材料去除率增大。抛光垫经过多次使用后,其表面会逐渐“釉化”,从而使去除材料的速度下降。这时,可以用修整的方法来恢复抛光垫的粗糙度,一般采用修整环修整,达到恢复或改善抛光垫输送抛光液的性能,从而使去除速度得到维持且延长抛光垫的寿命。因而改进抛光垫、延长其使用寿命从而减小加工损耗是CMP技术的主要挑战之一。
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